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삼성 36GB HBM3E 12H D램 업계 최초 개발

by 컨트롤제트

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삼성전자가 업계 최초로 5세대 고대역폭 메모리인 HBM3E를 12단으로 적층하여 총 36GB 용량을 실현한 제품을 개발했습니다.  전 세대인 HBM3에 비해 성능과 용량이 50% 이상 향상된 대단한 진전이며, 상반기 양산을 목표로 하고 있습니다.

목차

    1. HBM3E 메모리 기술 소개

    HBM3E는 차세대 고대역폭 메모리(High Bandwidth Memory)로, 고성능 컴퓨팅 시스템을 위해 설계된 새로운 형태의 메모리입니다.

    1.1 HBM3E 메모리란

    • 개발 성공: 삼성전자가 개발한 5세대 고대역폭 메모리(HBM3E) 개발에 성공했습니다. 상반기 내에 양산을 시작할 예정이라고 합니다.
    • 성능 특징: HBM3E는 초당 최대 1280GB의 데이터 대역폭과 36GB의 용량을 제공하여, 기존의 HBM3 대비 약 50% 이상 성능이 개선된 것으로 나타났습니다.
    • 기술적 세부사항: 24Gb D램 칩을 실리콘관통전극(TSV) 기술로 12단으로 적층 하여 36GB 용량을 구현했습니다. 이를 통해 동일한 높이의 HBM 패키지 규격을 충족시켰습니다.

    1.2 HBM3E의 중요성 및 활용 예

    • AI & 슈퍼컴퓨팅: AI, 머신 러닝, 슈퍼컴퓨팅과 같은 분야에서 대용량의 데이터 처리가 필요함에 따라 HBM3E가 중요한 역할을 하게 됩니다.
    • 기술 경쟁: 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 반도체 기업들이 HBM3E를 포함해 차세대 메모리 솔루션 개발에 경쟁하고 있습니다.

    1.3 업체별 HBM3E 전략

    • 삼성전자: 업계 최초로 36GB HBM3E 12H D램을 개발하여 고용량 HBM 시장 선점에 나섰으며, Advanced TC-NCF 기술을 적용하여 칩 적층수가 증가하고 휘어짐 현상을 최소화했습니다.
    • 마이크론: 마이크론테크놀로지는 HBM3E 양산을 시작하여 주요 고객사인 엔비디아에 공급하며, SK하이닉스와 삼성전자와의 경쟁을 이어가고 있으며 마이크론의 HBM3E는 전력 효율 면에서 경쟁사 제품보다 30% 더 좋다고 주장하고 있습니다.

     

    HBM3E는 높은 성능과 용량으로 차세대 컴퓨팅 기술의 핵심 요소로 자리잡고 있으며, 각종 고성능 저장 필요 장비에 보다 널리 쓰일 전망입니다.

     

     

     

    2. 삼성전자의 36GB 12단 HBM3E 개발

    HBM3E-12H-D램-제품-이미지
    HBM3E 12H D램 제품 이미지 출저-삼성전자

    삼성전자가 세계 최초로 36GB 용량의 HBM3E 12단(D램 층을 12개 쌓은 구조) D램 개발에 성공했다고 보도되었습니다. 이는 고대역폭 메모리(HBM)의 5세대 제품으로, 삼성전자의 기술 혁신을 나타내는 주요 이정표입니다.

    • 용량: D램 칩을 12단까지 적층 하여 36GB로, 현재까지 출시된 HBM 제품 중 최대 용량입니다.
    • 기술: 실리콘 관통 전극(TSV) 기술과 열압착 비전도성 접착 필름(Advanced TC NCF) 기술 적용
    • 성능: 초당 최대 1280GB의 대역폭을 제공하여, 성능과 용량 모두 4세대 HBM3 8단(D램 8층) 대비 약 50% 이상 향상되었다고 합니다.

    삼성전자의 이번 기술 개발은 메모리 시장에서 차세대 고성능 컴퓨팅, 인공지능, 빅데이터, 고급 그래픽 처리가 필요한 분야에 이바지할 것으로 기대됩니다.

     

    HBM3E는 특히 고용량 대역폭이
    중요한 데이터 센터, 서버,
    슈퍼컴퓨터, AI 가속기 등의
    애플리케이션에 활용될 예정입니다.

     

    삼성전자는 이러한 혁신적인 메모리 기술을 통해 고성능 컴퓨팅과 관련된 시장 주도권을 잡기 위해 노력하고 있으며, HBM3E가 기존의 컴퓨팅 한계를 뛰어넘는 새로운 가능성을 열 것으로 기대하고 있습니다.

     

     

     

    3. HBM3 메모리에 대해 알아보기

    HBM (High Bandwidth Memory)은 기존의 DRAM보다 빠르고 효율적인 데이터 처리를 가능케 하는 고부가가치 메모리 기술입니다. 이 메모리는 여러 개의 DRAM 칩을 수직으로 적층하는 2.5D 또는 3D 스택 패키지 기술을 사용하여 구현됩니다.

    • 용량: HBM3는 현재 최대 24GB 용량의 제품이 개발되었으며, 이는 기존 HBM2 대비 훨씬 큰 수치입니다. 12개의 DRAM 칩을 수직 적층해 이러한 고용량을 달성했습니다.
    • 속도: HBM3는 최대 6.4Gbps의 처리 속도를 가지며, 이는 이전 세대보다 약 1.8배 더 빠르게 데이터를 처리할 수 있습니다.
    • 대역폭: 제공되는 데이터 대역폭은 819GB/s에 이릅니다. 이는 고성능 컴퓨팅 환경에서 매우 중요한 요소로, 대규모 데이터 센터, 인공지능 애플리케이션, 머신 러닝 등에 필수적인 성능입니다.
    • 적용 분야: HBM3는 특히 고성능 컴퓨팅, 대규모 데이터 처리, AI 및 머신 러닝 애플리케이션등에서 사용됩니다. 또한, 최근 주목받고 있는 메타버스나 복잡한 과학 연구에서도 핵심적인 역할을 하게 될 것입니다.
    삼성전자가 업계 최초로 HBM3
    비해 성능과 용량이 50% 이상
    향상된 HBM3E를 12단으로
    적층하여
    총 36GB 용량
    실현한 제품을 개발했습니다.